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接法不影响晶体管处在放大工作状态。共基极接法，输入特性与二极管类似，右边vcb电压增大，ie电流也增大，这是ib会逐渐减小至稳定。共基极的接法是恒流源，ie与ic几乎相等，饱和区、放大区、截止区就是管的状态。

晶体管参数：直流放大系数，先变大再变小，开始因为ib很大在逐渐减小，后面因为另一种饱和，ib逐步提高，ic具有上限，这个放大系数变小。与之匹配的共基极直流放大系数可以用公式求得，也是在不断变化。

集电结反向饱和电流icbo，看名字就知道是干什么的。穿透电流是基极开路，直接由c到e，穿透的名字就是这样的。研究它们主要是因为它们随着温度而变化，这些电流影响ib、ie、ic之间的关系，导致直流放大系数不稳定，如果因为温度变化而放大系数不确定，管子就会处于一个具有程度划分的不可控状态，一般直流放大系数越小的波动越少可控力越强。这里又是一个取舍。交流放大系数，在直流的基础上微小波动，由于在放大区，它也基本是不变的。共基极交流放大系数也认为几乎不变。

（****）但是随着这个交流信号的频率上升，由于管子的电容特性，调节能力逐渐减弱，放大系数下降，降低到根号二分之一位为共发射极截止频率，降低到1为管子特征频率，共基极截止频率是共基极放大系数掉到根号二分之一时的信号频率。之后的频率是两者之和，前面的关系里频率有一个原放大系数的倍数关系。

这个频率推倒很麻烦，有电容和频率响应的知识在里面，需要把电路转到复频域进行分析，-3db是能量上削减一半，反应出来就是幅值下降至0.707。不看了，记住这三个频率关系即可。

在共射输出特性里面，向上是ic最大电流，向右是反向击穿电压，中间有一个反比例函数是最大功耗。所以在实际使用中，一般非线性的部分也是管子坏掉的部分，不需要画太多精力考虑那边的事。三个击穿压，两个结压和一个穿透压。这几个击穿是有大小关系的，有阻就不好击穿，越薄的地方越容易击穿。反正不能让任何一个地方被击穿。

升温导致管子更加不稳定，更容易被击穿，电阻变小，某些比例会增大，电流会增大。

进入模拟电路基本功能。信号放大电路。线性放大，否则是失真。

信号放大电路，用小产生大，能量不会凭空产生，需要直流源，左侧是信号源与限流电阻，右边分为正电位，零电位和负电位接入，以及用电器。

吧啦吧啦，后面的东西不写笔记，不画图是做不下去了。日记就写一些神来之笔吧！

放大电路模型忽略了内部细节，是在做宏观上的决策。这个电路有四种类型，里面有四个电阻，选择方法是，另信号较多地加在输入电阻和负载电阻上。压，流，流转压为阻，压转流为导。电压源直通，电流源横着，放的为受控源，圆的是信号源。可做隔离，提高安全性与稳定性，但是分析选用是不变的。

增益用db，相位差180就变负，有上限，有效值，最大幅值峰峰值是一个意思。

非线性失真系数。谐波的幅值平方和开方比基波幅值，比较的是互相垂直的信号的模长。输入电阻输出电阻略。

通频带：上，下各有一个3db衰减，中间的部分是通频带。功率与效率略吧。

共射极基本放大电路脑袋上是负载哦！

如果精通输入特性与输出特性，后面的图解法是不难的。

再往后，看不懂啦！不看了不看了，唉！今天也不算是浪费时间，只能说有些路不好走了，要换路了。不过看了这么久，很开心啦！